Новости в реальном времени

В начале августа 2014 г на портале Flash Memory Summit компания Western Диджитал назвала о проектах применять резистивную память с случайным доступом (restistive random access memory, ReRAM) в роли памяти для SSD-накопителей c высокой мощностью. Это так именуемые SCM-накопители (сторидж class memory), которые должны занять среднее положение между DRAM и традиционными твердотельными накопителями. Память вида ReRAM должна отлично подходить для данной цели, так как она гарантирует соединять скорости доступа, ближайшие к данным памяти DRAM и при этом быть энергонезависимой.

Слайд из демонстрации Western Диджитал на FMS

Из жадного на детали доклада представителей компании Western Диджитал можно было представить, что свежий класс твердотельных накопителей будет базироваться на подготовки организаций SanDisk и Toshiba. И на самом деле, компании SanDisk и Toshiba 3 месяца назад могли похвастать квалифицированными экземплярами 32-Гбит памяти ReRAM, но годом ранее SanDisk и HP подписали контракт об общей подготовке памяти ReRAM. С июня 2014 г организация SanDisk перешла в собственность компании Western Диджитал, что автоматом перебросило её подготовки в руки владельца. Но в эти дни возникла информация, что организация Western Диджитал держит руку на пульсе у ещё одной технологии ReRAM.

Слайд из демонстрации Western Диджитал на FMS

Как стало известно, такое отделение Western Диджитал, как Hitachi GST, 2 года подряд действует с молодой австралийской организацией 4DS. Летом этого года HGST и 4DS закончили ещё 1 контракт об общих работах на 2015 год. Сущность работ состоит в увеличении надёжности сохранения данных в ячее памяти ReRAM и в подготовке технологий, повышающих количество циклов стирания ячей ReRAM. Логично, что подготовки 4DS — это свободный проект, а не улучшение исследований SanDisk и Toshiba. Это подводит нас к тому, что Western Диджитал оценивают несколько видов памяти ReRAM. Тем не менее, это логично. Сегодня наберётся более 2-ух десятков разных технологий работы резистивной памяти с случайным доступом.

Конструкция ячеи ReRAM компании 4DS (4DS)

Со слов управления 4DS, разработка компании рентабельно различается от создающих конкуренцию видов. Прежде всего, само здание ячеи ReRAM 4DS гарантирует бóльшую насыщенность записи сравнивая с памятью 3D NAND в случае применения одинакового техпроцесса. Уточним, организация 4DS экспериментирует с ячеями ReRAM, произведенными в масштабах 40-нм техпроцесса, в то время как память 3D NAND сегодня широко производится с применением  техпроцессов в спектре от 45 до 50 hm.

Состав ячеи памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Иным плюсом подготовки 4DS именуется совершенный механизм работы памяти. Это память с переключением рабочего пласта, когда противодействие ячеи меняется во всём рабочем покрове (Interface Switching ReRAM либо Non-Filamentary ReRAM). Заменой этому может служить память с образованием нитевидных токопроводящих «волокон» из ионов золота в рабочем покрове ячеи. Такую память спроектировала организация Crossbar и, что принципиально, о готовности изготовления памяти Crossbar ReRAM с применением 40-нм техпроцесса рассказал самый крупный в КНР договорный изготовитель — организация SMIC. Похоже, на данном направлении становится тепло. Однако неужели нам про это сочувствовать?