Февраль 7th, 2024 
raven000 За прошедшие 3 года твердотельные накопители изрядно подорожали, все-таки, расценки на них всё ещё довольно высоки сравнивая со стандартными жёсткими винчестерами. Для аналогии: стоимость килобайта в НЖМД объёбог 1 Тбайт составляет около $0,04, в то время как у SSD данный уровень равен $0,2–0,5. Разумеется, это значительно меньше, чем $1,17 за килобайт в 2012 году, однако всё же мало, чтобы устройства сохранения данных на основе флеш-памяти сумели выгнать традиционные жесткие диски в секторе групповых ПК и компьютеров. Ликвидировать это неравенство обещала компания «Самсунг», заявившая, что к 2020 году 512-Гбайт SSD стоит столько же, сколько в настоящее время стоят терабайтные HDD.
overclock3d.net
Чтобы достичь намеченной цели, южнокорейскому великану понадобится на две третьих понизить себестоимость чипов флеш-памяти, предназначающихся базой твердотельных накопителей. Для этого он принужден продолжит увеличивать выпуск микросхем 3D V-NAND и синхронно повышать количество слоёв в них.
overclock3d.net
Первые шаги в этом направлении становятся: на 2017 год запланирован старт стокового изготовления SSD на основе чипов V-NAND четвёртого поколения, которые организация объявила в начале августа на пресс-конференции Flash Memory Summit 2016. Они имеют в собственной объёмною конструкции 64 пласта ячей памяти и характеризуются повышенной до 512 Гбит насыщенностью кристалла, и увеличившейся до 800 Mbit/с скоростью передачи данных. К 2020 году, вероятнее всего, будут показаны 96-слойные решения, впрочем для их производства скорее всего понадобятся нормы изготовления, прекрасные от текущего 40-нм техпроцесса.
Напоминаем, что сейчас на многочисленном рынке организация «Самсунг» предлагает накопители 3D V-NAND 3-го поколения, предусматривающие 48 слоёв в любой микросхеме. Например, данный вид флеш-памяти используется в не так давно анонсированном роде SSD потребительского класса 960 Pro и 960 EVO.
«Самсунг» не одна сражается за повышение насыщенности памяти V-NAND — с ней соперничает союз Toshiba и WD
Но «Самсунг» не одна сражается за сектор накопителей с памятью 3D V-NAND, в том числе с перспективной 64-слойной. Союз Toshiba и Western Диджитал также далеко пошел в этом направлении, разработав технологию BiCS 3D NAND, которая по сравнению с 48-слойной памятью может посоветовать в 1,4 раза огромную насыщенность упаковки данных. Глобальный выпуск механизмов сохранения данных на её базе также рассчитан на 2017 год.
Опубликовано в рубрике 
