Июль 2nd, 2023 
raven000 Организация «Самсунг» сегодня сообщила о конце глобального изготовления «систем на чипсете» по 10-нанометровой технологии FinFET. Принимается, что это первые такие изделия в области.
Подчеркивается, что промышленный процесс учитывает применение транзисторов с передовой 3D-структурой. Переход от 14-нанометровой технологии к общепризнанным меркам 10 нанометров разрешил на 40 % понизить потребление.
Сравнивая с 14-нанометровой методикой вероятно повышение производства микрочипов на 30 % в расчёте на одну кремниевую пластинку.
Также, введение 10-нанометровой технологии позволит увеличить быстродействие микропроцессоров. Например, пишется о возможности повышения мощности на 27 % сравнивая с 14-нанометровыми заключениями.
Раньше передавалось, что как раз «Самсунг» будет выполнять по 10-нанометровой технологии микропроцессоры Snapdragon 830 подготовки Qualcomm. Данный чипсет будет оделён ядрами Kryo 200 и производительным графическим контроллером Adreno 540. Интегрированный сканер X16 LTE снабдит предельную скорость в 980 Mbit/с при загрузке данных. Пишется о помощи памяти LPDDR4X.
«Самсунг» подчеркивает, что первые мобильные телефоны на базе микропроцессоров, произведённых по 10-нанометровой технологии FinFET, будут на рынке в самом начале 2015 года. Предполагается, что изделия Snapdragon 830 будут «сердцем» передовых телефонов «Самсунг» нового поколения.
Судя по всему, в будущем новая производственная методика будет применяться и при производстве своих мобильных микропроцессоров «Самсунг» — чипов рода Exynos.
Опубликовано в рубрике 
