Новости в реальном времени

Как рассказывает специалист из Калифорнийского института в Беркли Суджай Десай (Sujai Desay), в полупроводниковой промышленности продолжительное время казалось, что все транзисторы с объемом затвора менее 5 hm не будут действовать. Всё что меньше этого объема даже не принималось во внимание. В последнее время это мнение, тем не менее, стало смотреться непрочным, теперь было целиком опровергнуто благодаря открытиям, сделанным учеными перечисленного института, и магии углеродных нанотрубок, графена.

Команде в составе Или Джави (Ali Javey), Джеффа Бокора (Jeff Bokor), Ченминга Ху (Chenming Hu), Муна Кима (Moon Kim) и Филиппа Вонга (H.С. Phil Wong) удалось сделать триод с 1-нанометровым затвором. Теоретически это изобретение позволит сделать полупроводниковые чипсеты ещё меньше. Для аналогии: габариты затворов сегодняшних кремниевых транзисторов составляют 20 hm. Необходимо отметить, что графен — не один источник, предоставивший сделать настолько серьёзный рывок. Для достижения итога ученые также применяли дисульфид молибдена (MoS2).

Неприятность со сверхмалыми транзисторами заключается в том, что чем меньше они, тем труднее становится контролировать передачу электронов через источник, утечки делаются чересчур большими, и транзисторы не работают. Однако за счет того, что электроны «прибавляют в весе», минуя через MoS2, возникает вероятность применять наименьшую ширину затвора, вплоть до 1 hm. Измерения учёных продемонстрировали, что триод на базе дисульфида молибдена с 1-нм затвором из углеродных нанотрубок дает возможность производить действенное регулирование потоком электронов.

Необходимо отметить, что впрочем речь идёт о серьёзном изобретении, учёные не впервые одолевают порог в 5 hm при разработке транзисторов, как про это говорит Калифорнийский институт в Беркли. К примеру, ещё в 2008 году Институт Манчестера применял графен для образования 1-нм транзистора, но в 2006 году корейские учёные использовали FinFET для образования транзистора с шириной канала в 3 hm.

Таким образом можно быть смирными: гибель Законопроекта Мура (в любом случае, с позиции насыщенности транзисторов на единицу площади) незначительно отменяется.